1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Innovation Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمیته استانداردسازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

تولید انبوه نسل دوم تراشه‌ی DRAM ده نانومتری سامسونگ

موضوع : صنعت و بازار کلمات کلیدی : تراشه Chip - تولید انبوه تاریخ خبر : 1397/05/23 تعداد بازدید : 387

شرکت سامسونگ نسل دوم از تراشه‌های 10 نانومتری 8Gb LPDDR5 را به تولید انبوه رساند. این حافظه‌ها 20 درصد نازکتر بوده و 10 درصد انرژی کمتری مصرف می‌کنند.

سامسونگ اعلام کرد که نسل دوم حافظه‌های 10 نانومتری DRAM تلفن همراه را به تولید انبوه رسانده‌ است. این تراشه‌های DRAM جدید 8 گیگابایت ظرفیت داشته و مصرف انرژی اندکی دارند.

براساس اطلاعات منتشر شده توسط سامسونگ، این تراشه‌ها از کارایی بالایی برخوردار بوده و به دلیل مصرف کم باتری برای باتری ادوات الکترونیکی بسیار مناسب هستند. قرار است از این حافظه‌ها در تلفن‌های هوشمند ممتاز یا دیگر ادوات همراه استفاده شود.

در مقایسه با تراشه‌های فعلی که در حال حاضر در تلفن‌های همراه استفاده می‌شوند، این نسل جدید حافظه‌ها 10 درصد مصرف کمتری دارند، در حالی که اطلاعات را با همان سرعت یعنی 4.266 مگابایت برثانیه مبادله می‌کنند. این به معنای حفظ عملکرد و کاهش مصرف انرژی است.

سامسونگ همچنین اعلام کرد که بسته‌ی DRAM همراه 8GB LPDDR4X خود را با ترکیب 4 تراشه DRAM 10 نانومتری 16Gb LPDDR4X DRAM ساخته است(16Gb=2GB). این بسته قابلیت انتقال 34.1 گیگابایت بر ثانیه اطلاعات را داراست، در حالی که 20 درصد نازکتر از نسل اول این تراشه است.

با استفاده از این فناوری می‌توان ضخامت و ابعاد ادوات همراه را کاهش داد؛ بدون این که عملکرد سیستم مختل شود.