1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Innovation Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمیته استانداردسازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

ایجاد لایه نازک نانوساختار NiTi توسط محققان کشورمان

موضوع : علم و پژوهش کلمات کلیدی : آلیاژ حافظه‌دار NiTi - تیتانیوم Ti تاریخ خبر : 1387/08/21 تعداد بازدید : 3210

دانش‌آموخته دکتری دانشگاه صنعتی شریف با همکاری محققان دانشگاه کمبریج موفق به ایجاد لایه‌های نازک نانوساختار NiTi از عناصر خالص به روش کند و پاش (Sputtering) شد. دکتر سهراب سنجابی(دانش‌آموخته دکتری مهندسی مواد دانشگاه صنعتی شریف) با راهنمایی دکتر خطیب‌الاسلام صدرنژاد (عضو هیئت علمی دانشکده مواد دانشگاه صنعتی شریف) و با همکاری دکتر Z.H.Barber از دانشگاه کمبریج موفق به تهیه این نانولایه شده‌اند.

 دانش‌آموخته دکتری دانشگاه صنعتی شریف با همکاری محققان دانشگاه کمبریج موفق به ایجاد لایه‌های نازک نانوساختار NiTi از عناصر خالص به روش کند و پاش (Sputtering) شد. دکتر سهراب سنجابی(دانش‌آموخته دکتری مهندسی مواد دانشگاه صنعتی شریف) با راهنمایی دکتر خطیب‌الاسلام صدرنژاد (عضو هیئت علمی دانشکده مواد دانشگاه صنعتی شریف) و با همکاری دکتر Z. H. Barber از دانشگاه کمبریج موفق به تهیه این نانولایه شده‌اند.

این آلیاژ به صورت لایه نازک در ساخت میکرووالوها، میکروپمپ‌ها، MEMS، BioMEMS، میکرولوله‌های هوشمند، نانوروبات‌ها، نانوچنگ‌ها و ... کاربرد دارد و نیز می‌توان از آن در صنایع هواپیمایی، مهندسی پزشکی، مهندسی بافت، جراحی قلب آنژیوگرافی و در ارتودنسی استفاده نمود.

دکتر سنجابی در گفتگو با بخش خبری سایت ستاد ویژه توسعه فناوری نانو، اظهار داشت: "هدف اصلی از این پژوهش که در قالب پایان‌نامه دکتری اینجانب انجام شده، تولید آلیاژهای حافظه‌دار نانوساختار از عناصر خالص بوده است و لایه نازک نانوساختار این آلیاژهای حافظه‌دار بر پایه NiTi، به کمک روش کند و پاش و تحت شرایط خلاء UHV، تولید شده است. روش مورد استفاده در این پروژه در مقایسه با روش‌های دیگر بسیار مقرون به صرفه بوده و می‌توان با کنترل پارامترهای دستگاه کند و پاش هرگونه ترکیبی از آلیاژهای NiTi را به صورت دوتایی و سه تایی تولید نمود و خواص حافظه‌داری آلیاژها را در دماهای پایین، دمای اتاق و دمای بالا تا 400˚C به دست آورد".

عضو هیئت علمی گروه نانوفناوری دانشگاه تربیت مدرس در ادامه گفتگو و در تشریح نحوه انجام کار، گفت: "در این پژوهش از عناصر خالص Ni، Ti برای رشد لایه نازک NiTi با ترکیبات مختلف و عناصر دیگر چون Hf برای رشد لایه نازک قابل استفاده در دمای بالا (NiTiHf) استفاده شده است. به طور خلاصه با کنترل فشار گاز آرگون، دمای رشد و نسبت توان اعمالی به تارگت‌ها در دستگاه کند و پاش، می‌توان هرگونه آلیاژ حافظه‌داری با ترکیب خاص و به صورت لایه نازک تولید نمود. مشخصه‌یابی لایه‌ها توسط دستگاه‌های XRD، FESEM، TEM، DSC، Electerical Resistivity و AFM انجام گرفته است.

شایان ذکر است که محصول تولید شده در این پروژه کاملاً قابل مقایسه با محصولات خارجی است، با این تفاوت که کنترل ترکیب شیمیایی از مزایای این پروژه است.

جزئیات این کار تحقیقاتی در مجلهA Vacuum Science and Technology(جلد 23، شماره 5، صفحات 1425-1429، سال 2005) منتشر شده است.