1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Innovation Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمیته استانداردسازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

کنترل فرایند مغناطیسی‌سازی نانوسیم‌های آهن

کلمات کلیدی : مغناطیس - مغناطیس تاریخ خبر : 1389/05/30 تعداد بازدید : 3177

گروهی از محققان اسپانیایی از یک سامانه رسوب‌دهی لیزر پالسی برای تولید فیلم‌های نازک هم‌محور بهره برده و بدین طریق عوامل موثر بر مغناطیسی‌سازی نانوسیم‌های آهن را مطالعه کردند.

می‌توان نانوسیم‌های مغناطیسی با ویژگی‌های مورفولوژیکی مختلف را با استفاده از فرایندهای مختلفی تولید کرد. از جمله روش‌های معمول مورد استفاده می‌توان به رسوب‌دهی روی بسترهای خودسامان و ساختاردهی مصنوعی فیلم‌های نازک با استفاده از لیتوگرافی اشاره کرد. گروه‌های زیادی فرایندهای مغناطیسی‌سازی را مورد مطالعه قرار داده‌اند و این فرایندها نه تنها به شکل، ابعاد، و ویژگی‌های ذاتی ماده بستگی دارند، بلکه به بسیاری عوامل خارجی دیگر نیز وابسته هستند. این بدان معناست که این ساختارها به شرایط خاصی که در روند تولید وجود دارد، بسیار حساس بوده و در عمل امکان توصیف عمومی از رفتار مغناطیسی آنها وجود ندارد. استفاده عملی از نانوسیم‌های مغناطیسی نیازمند فرایند مغناطیسی‌سازی کاملاً کنترل‌شده و مستقل از نواقص موجود در فرایند ساخت است و این امر یکی از موانع این کار به‌شمار می‌رود.
 
آرایه‌ای از نانوسیم‌ها: حلقه‌های hysteresis محاسبه شده و اندازه‌گیری شده
 
دانشمندان Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC) و دانشگاه فنی مادرید برای مطالعه دقیق‌تر این مسأله از یک سامانه رسوب‌دهی لیزر پالسی برای تولید فیلم‌های نازک هم‌محور Au(001)/Fe(001)/Mg(001) با کیفیت بالا که دارای لبه‌های بسیار تیز و صاف در سطح تماس Au/Fe و Fe/MgO هستند، بهره برده‌اند.

این گروه پژوهشی با استفاده از سه روش مختلف تابش یونی متمرکز، و لیتوگرافی اشعه الکترونی با هر دو ماده مقاوم مثبت و منفی، آرایه‌ای از نانوسیم‌ها با قطر 100 تا 1000 نانومتر در این فیلم‌ها ایجاد کردند. در اینجا فرایند مغناطیسی‌سازی نانوسیم‌ها توسط شکل و ابعاد آنها و ویژگی مغناطیسی ذاتی آهن کنترل شده و نواقص طبیعی که در رسوب‌دهی فیلم‌های نازک و همچنین سه روش لیتوگرافی مورد استفاده وجود دارند، تأثیر زیادی روی این فرایند مغناطیسی‌سازی ندارند.

توانایی به‌دست آوردن چنین نانوساختارهایی با کیفیت بالا فرصت‌های منحصربه‌فردی برای مطالعه آنها به‌عنوان سامانه‌های مدل و توضیح واژگون‌سازی مغناطیسی آنها توسط یک راهکار تحلیلی ساده فراهم می‌آورد. در این راهکارهای تحلیلی تطابق بسیار خوبی میان محاسبات صورت گرفته و داده‌های تجربی وجود خواهد داشت.

جزئیات این کار در مجله Nanotevhnology منتشر شده است.