1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Innovation Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمیته استانداردسازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

احتمال جایگزینی سیلیکون با اکسید و انادیوم سرب

کلمات کلیدی : اکسید وانادیوم سرب تاریخ خبر : 1391/07/29 تعداد بازدید : 2236

پژوهشگران دانشگاه بوفالو به‌دنبال ماده‌ای می‌گردند که بتواند جایگزین سیلیکون در ادوات الکترونیکی شود تا با این کار سرعت پردازش اطلاعات را افزایش دهند. اکسید وانادیوم سرب ماده‌ای است که خواص الکترونیکی غیرمعمولی دارد به‌طوری که می‌تواند سرعت انتقال اطلاعات را افزایش دهد. این گروه تحقیقاتی در مقاله‌ای که در نشریه Advanced Functional Materials به چاپ رساندند روشی برای تولید نانوسیم اکسیدوانادیوم سرب ارائه کردند.

پژوهشگران دانشگاه بوفالو به‌دنبال ماده‌ای می‌گردند که بتواند جایگزین سیلیکون در ادوات الکترونیکی شود تا با این کار سرعت پردازش اطلاعات را افزایش دهند. اکسید وانادیوم سرب ماده‌ای است که خواص الکترونیکی غیرمعمولی دارد به‌طوری که می‌تواند سرعت انتقال اطلاعات را افزایش دهد. این گروه تحقیقاتی در مقاله‌ای که در نشریه Advanced Functional Materials به چاپ رساندند روشی برای تولید نانوسیم اکسیدوانادیوم سرب ارائه کردند.

دلیل این که چرا این نانوسیم‌ها برای محققان جالب هستند آن است که اگر در دمای اتاق به آنها ولتاژ اعمال شود، این سیم از حالت عایق تبدیل به رسانا می‌شوند. از این دو حالت، عایق و رسانا، می‌توان به‌عنوان کدهای دوتایی برای ذخیره‌سازی اطلاعات استفاده کرد. در سیستم‌های فعلی از روشن یا خاموش بودن سلول‌ها برای این کار استفاده می‌شود.

سامباندامورتی گاناپاتی از محققان این پروژه و نویسنده اول این مقاله می‌گوید توانایی سوئیچ میان حالت خاموش و روشن که با سرعت بالایی انجام می‌شود موجب شده تا بتوان از این ماده در سیستم‌های محاسباتی استفاده کرد.

 
 
 
سارباجیت بانرجی، نویسنده دیگر این مقاله می‌گوید فناوری محاسبات سیلیکونی در حال حاضر دچار محدودیت‌هایی است یکی از این محدودیت‌ها سرعت کند سوئیچ است. حالت انتقالی مبتنی بر ولتاژ که در این پروژه ارائه شده می‌تواند سرعت سوئیچ را افزایش دهد. البته پیش از این که این نانوسیم‌ها به‌صورت تجاری مورد استفاده قرار گیرد، باید مسئله ایمنی آنها برای سلامت انسان و محیط زیست مورد بررسی قرار گیرد.

یکی از ویژگی‌های پیچیده این موادی که سنتز شده آن است که تنها در صورت نانومتری بودن خواص الکترونیکی منحصر به‌فرد خود را دارا هستند. دلیل این امر آن است که مواد در ابعاد نانومتری دارای نقص‌های کمتری نسبت به حالت توده‌ای هستند.

در مورد نانوسیم‌های اکسید وانادیوم سرب باید گفت که وجود ساختار سیم مانند برای داشتن سرعت سوئیچ بالا بسیار حیاتی است در واقع شکل نانوسیم است که موجب تبدیل خاصیت عایق به فلزی در این ماده می‌شود.

در حالت عایق، موقعیت بلورهای موجود در نانوسیم‌های سرب به گونه‌ای است که موجب تجمع الکترون‌ها در یک موقعیت خاص می‌شود. در صورت اعمال ولتاژ، این سد برداشته شده و الکترون‌ها به‌راحتی در طول سیم به حرکت در می‌آیند. اگر این ماده به‌صورت توده‌ای باشد نقص‌های موجود در آن مانع از بروز این ویژگی می‌شود.