1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Innovation Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمیته استانداردسازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

استفاده از نقاط کوانتومی گرافنی در حافظه‌های فلش

تاریخ خبر : 1393/06/18 تعداد بازدید : 3040

محققان برای اولین بار از نقاط کوانتومی گرافنی برای ساخت حافظه‌های فلش استفاده کردند. این نقاط می‌توانند دانسیته حافظه را افزایش دهند.

حافظه‌های فلش امروزی اطلاعات را به‌صورت بار الکتریکی روی لایه‌های پلی سیلیکون ذخیره می‌کنند. از آنجایی که پلی‌سیلیکون یک ماده یکنواخت است، هر گونه نقص ساختاری در آن می‌تواند موجب برهم‌کنش با بار شده و جنبش بار الکتریکی را محدود کند. این کار در نهایت موجب محدود شدن دانسیته اطلاعات قابل ذخیره می‌شود.
محققان برای رفع این مشکل، بر ذخیره‌سازی اطلاعات روی دام‌های بار مجزا (نظیر نانوبلورها به جای لایه‌های پلی‌سیلیکونی) کار می‌کنند. دام‌های بار مجزا مانع حرکت‌های ناخواسته بارها می‌شوند که دلیل این امر حساسیت کم این دام‌ها به نقص‌های ساختاری است. بنابراین می‌توان با استفاده از این دام‌ها، ادوات ذخیره‌سازی اطلاعات با دانسیته بالا ساخت.
اخیراً محققان از نقاط کوانتومی گرافنی به جای نانوبلورها برای ساخت دام بار مجزا استفاده کردند.
هر چند که گرافن ماده‌ای جذاب برای ساخت نسل جدید ادوات الکترونیکی است اما ساخت حافظه‌های گرافنی هنوز در مراحل اولیه خود قرار دارد. نقاط کوانتومی گرافنی، مواد بسیار جدیدی هستند که می‌توانند به صورتی مهندسی شوند که خواص نوری و الکترونیکی ویژه‌ای داشته باشند.
این گروه تحقیقاتی نقاط کوانتومی با ابعاد مختلف (6، 12 و 27 نانومتر) را تولید کردند که در میان لایه‌های دی‌اکسید سیلیکون قرار دارد. نتایج یافته‌های محققان نشان داد که خواص حافظه‌های نقاط کوانتومی گرافنی بستگی به ابعاد نقاط دارد. برای مثال، نقاط 12 نانومتری سرعت نگارش اطلاعات بسیار بالایی دارند در حالی که نقاط 27 نانومتری سرعت پاک شدن بالاتری دارند.
سو هو چوی از محققان این پروژه می‌گوید: «این اولین باری است که با استفاده از نقاط کوانتومی گرافنی حافظه‌های فلش ساخته می‌شود، هر چند که ویژگی‌های آن‌ها هنوز با حافظه‌های تجاری موجود در بازار فاصله دارد. این اولین باری است که از نقاط کوانتومی گرافنی به‌صورت عملی در ساخت یک دستگاه استفاده می‌شود.»
نتایج پژوهش‌های محققان دانشگاه کیونگ‌هی و شرکت سامسونگ الکترونیکز در نشریه Nanotechnology به چاپ رسیده است.