1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Innovation Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمیته استانداردسازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

پیش‌بینی تولـد عـموزاده جدید گــرافن: سیلیـگرافن SiC7

کلمات کلیدی : سیلیگرافن - مدلسازی - اپتوالکترونیک - پیل ( سلول ) خورشیدی تاریخ خبر : 1395/01/14 تعداد بازدید : 3224

محققان با انجام مدل‌سازی، ساختار جدیدی به نام سیلیگرافن SiC7 را طراحی کردند که شباهت زیادی به گرافن دارد. این ماده تک لایه از جنس کربن و سیلیس بوده و دارای باندگپ است.

نظریه‌پردازان آلمانی و چینی با انجام محاسبات و مدل‌سازی‌هایی موفق شدند یک فاز جدید از گرافن موسوم به سیلیگرافن SiC7 را به دنیا معرفی کنند. این ترکیب شیمیایی که از خانواده سیلیسن است درصورتی که سنتز شود می‌تواند انقلابی در حوزه ادوات اپتوالکترونیک انعطاف‌پذیر ایجاد کند. برای مثال، از این ماده می‌توان در ساخت پیل‌های خورشیدی استفاده کرد.
filereader.php?p1=main_24bd34f78e62ee2fe
طبیعت نیمه‌فلزی گرافن و عموزاده آن یعنی سیلیسن موجب شده تا کاربرد آن در دنیا در حوزه نانوالکترونیک محدود شود. محاسبات اخیر یویونگ لی از دانشگاه سوچو در چین و همکارانی از دانشگاه برمن در آلمان نشان داد که ماده دو بعدی جدیدی در آستانه ظهور در دنیای فناوری است، ماده‌ای که از ترکیب کربن و سیلیس ساخته شده‌است.
سیلیگرافن SiC7 دارای ساختاری جالب توجه شبیه به گرافن بوده که از شبکه لانه زنبوری برخوردار است. اما برخلاف گرافن، این ماده از حلقه‌های هگزاگونالی نامنظم برخوردار است.
محققان این پروژه معتقداند که سیلیگرافن SiC7 تحولی در دنیای الکترونیک ایجاد کند. این ماده، ساختاری به مراتب بهتر از سیلیگرافن SiC2 و فسفر تک‌لایه سیاه در جذب نور خورشید دارد. فقدان تقارن که در اثر وجود سیلیکون در این ساختار بوجود آمده، موجب بروز باندگپ شده و در نتیجه خواص اپتوالکترونیکی این ماده بهبود جدی پیدا کرده است.