1
ستاد ویژه توسعه فناوری نانو Iran Nanotechnology Innovation Council بستن
  • ستاد ویژه توسعه فناوری نانو

  • بانک اطلاعات شاخص های فناوری نانو

  • سایت جشنواره فناوری نانو

  • سیستم جامع آموزش فناوری نانو

  • شبکه آزمایشگاهی فناوری نانو

  • موسسه خدمات فناوری تا بازار

  • کمیته استانداردسازی فناوری نانو

  • پایگاه اشتغال فناوری نانو

  • کمیته نانو فناوری وزارت بهداشت

  • جشنواره برترین ها

  • مجمع بین المللی اقتصاد نانو

  • اکو نانو

  • پایگاه اطلاع رسانی محصولات فناوری نانو ایران

  • شبکه ایمنی نانو

  • همایش ایمنی در نانو

  • گالری چند رسانه ای نانو

  • تجهیزات فناوری نانو

  • صنعت و بازار

  • باشگاه نانو

تولید انبوه ویفر گرافنی در مالزی

موضوع : صنعت و بازار کلمات کلیدی : ویفر - گرافن - تولید انبوه تاریخ خبر : 1396/05/21 تعداد بازدید : 1026

یک شرکت مالزیایی موفق به تولید ویفر گرافنی شده که می‌توان از آن برای ساخت نسل جدید ادوات نیمه‌هادی استفاده کرد.

شرکت میموس سمیکانداکتور (MSSB) که زیرمجموعه شرکت میموس است، رکورد جدیدی در تولید ویفر گرافنی برای استفاده در صنعت الکترونیک پیشرفته به ثبت رسانده است.
در بیانیه این شرکت آمده است که این دستاورد جدید می‌تواند توانایی صنعت الکترونیک را در حرکت در مسیر زنجیره ارزشی افزایش داده و منجر به ساخت ادوات الکترونیک و محصولاتی با ارزش افزوده بالا در بخش اینترنت اشیاء شود.
وان ازلی، قائم مقام بخش الکترونیک شرکت میموس سمیکانداکتور، می‌گوید که این فناوری جدید با قیمت پایین می‌تواند فیلم‌های گرافنی با خلوص بالا تولید کند که استفاده از آنها کیفیت محصول نهایی را تضمین می‌کند.
برناما از شرکت میموس سمیکانداکتور می‌گوید: «این فناوری برای تولید نسل جدید نیمه‌هادی‌ها، شناساگرهای نوری، ادوات انرژی، الکترونیک انعطاف‌پذیر و نانوحسگرهای قابل پوشیدن مزیت‌های زیادی دارد. این دستاورد ما را می‌توان اولین و تنها تولیدکننده ویفر گرافنی 8 اینچی در مالزی قلمداد کرد.»
پیش از این خبرهایی درباره تولید ویفر گرافنی 4 اینچی توسط محققان کره‌ای منتشر شده بود. آنها روشی ساده و قابل انطباق با صنعت میکروالکترونیک برای رشد گرافن ارائه کردند و در نهایت محصولی در ابعاد ویفر، 4 اینچ، ارائه کردند. این محصول چند لایه‌ای، با کیفیت بالا و روی زیرلایه سیلیکونی تشکیل می‌شود.
محققان برای تولید گرافن در این روش از کاشت یونی استفاده کردند که در آن از یون‌های شتاب‌یافته تحت میدان الکتریکی استفاده شده است. یون‌های برخورد کننده با سطح می‌توانند خواص فیزیکی، شیمیایی و الکتریکی سطح را تغییر دهند. معمولاً از CVD برای تولید گرافن استفاده می‌شود، اما دمای بالا در این روش مشکلاتی ایجاد می‌کند. همچنین انتقال گرافن از زیرلایه به محل مورد نظر موجب پارگی گرافن می‌شود. به همین دلیل محققان از روشی بی‌نیاز از انتقال استفاده کردند، به طوری که گرافن به‌صورت مستقیم روی سطح مورد نظر ایجاد می شود.
در این روش، یون‌های کربن شتاب ‌داده می‌شوند تا روی زیرلایه مورد نظر، نیکل، سیلیکون یا دی‌اکسید سیلیکون قرار گیرد. این فرآیند در دمای 500 درجه سانتیگراد انجام می‌شود.